[视频]ASML 的 High-NA EUV 光刻系统

ASML（阿斯麦）是全球领先的光刻设备制造商，其High-NA EUV（极紫外光刻）光刻系统是下一代半导体制造技术的重要组成部分。High-NA EUV系统的设计旨在进一步缩小芯片特征尺寸，以满足摩尔定律的延续，支持未来先进制程节点（如2纳米及以下）的生产。

什么是High-NA EUV光刻系统？

High-NA EUV光刻系统是ASML EUV（极紫外）光刻技术的升级版本，其中“NA”指的是数值孔径（Numerical Aperture）。传统EUV光刻系统的NA值为0.33，而High-NA EUV的NA值提升至0.55。这个提升使得光学系统能够以更高的分辨率进行图案化，从而实现更精细的芯片结构。

高数值孔径的优势

1. 更高的分辨率：High-NA EUV系统通过增加数值孔径，显著提升了系统的分辨率。这使得晶圆上的图案可以更加密集和细小，从而支持更先进的半导体制程。
2. 缩短波长：EUV光的波长为13.5纳米，结合高NA的设计，可以进一步降低芯片上特征尺寸的最小线宽（Critical Dimension, CD），满足未来几代制程节点的需求。
3. 支持多重曝光：为了实现更高的分辨率，High-NA EUV系统可以在单一曝光步骤中使用多重曝光技术，从而在更高密度的环境下生成精确的图案。

ASML的High-NA EUV光刻系统预计将在2025年前后投入大规模生产，首先用于2纳米及更小制程节点的研发和生产。这个系统的成功将为半导体行业继续推动摩尔定律提供强有力的支持，并有助于实现更高性能、更低功耗的芯片设计。