科普下什么是1X纳米 1Y纳米 1Z纳米

虽然现在台积电已经量产7纳米,明年将向6纳米过渡,两至三年后将来到3纳米级别,但内存的制造半导体制程工艺进入20纳米之后,制造就难度越来越高,继续提升制程工艺费效比越来越低,内存芯片厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是希望通过两代或三代1Xnm节点去升级DRAM,由此称为1Xnm、1Ynm、1Znm。大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

而通过美光的DRAM技术路线图显示,美光将继续扩展多个10纳米级节点,除了已经投产的第一代10纳米(1X)和第二代10纳米(1Y),目前开始量产第三代10纳米(1Z),首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。

接着,美光还将扩展三个10纳米级别节点:1 α,1 β和1 γ(注意,是希腊字母)

目前,美光公司正在加大其用于制造各种产品的第二代10nm级制造工艺(即1Y nm),该工艺用于制造该公司的各种产品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存储器件。

而美光的下一代1Z nm正准备进入量产阶段,首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。然后用于生产16 Gb LPDDR5存储器件以及DDR5存储器件。

1Z nm节点之后,美光计划开始使用其1αnm制造技术,接着是1βnm制造工艺,然后是1γnm技术的可行架构的验证。

文章写得好 赏颗六味地黄丸补补

原创文章,转载请注明: 转载自 吴川斌的博客 https://www.mr-wu.cn

本文链接地址: 科普下什么是1X纳米 1Y纳米 1Z纳米 https://www.mr-wu.cn/dram-1xnm-1znm-1znm-technology-roadmap/

分享到微信
使用微信扫码将网页分享到微信

推荐文章

神评一下

你可以从微信分享这篇文章

只需要简单两步

1.点击右上角

2.选择分享到朋友圈